應用於5G小型基地站寬信號頻寬高線性度低記憶效應之功率放大器與發射機研究(3/3)

三年期計畫擬研製可應用於5G NR FR1頻段之n77 ~ n79頻段之功率放大器與射頻發射機。本計畫將利用氮化鎵與互補式金屬氧化物半導體製程分別實現第五代行動通信小型基地站(n77)以及手持裝置發射機(n79)。計畫目標為操作在訊號頻寬100 MHz下，改善功率放大器之線性度及記憶效應，同時具寬頻、高增益、高效率的良好特性。計畫分為兩部分，分別於第一年研製適用於Micro cell小型基地站之寬頻、高線性度、低記憶效應之9 W功率放大器。擬採用寬頻J類功率放大器及多赫蒂(Doherty)功率放大器架構；第二年將GaN功率放大器整合至印刷電路板，同時處理偏壓電路調變與散熱問題，以驗證消除電性與電熱耦合記憶效應後改善線性度的效果；同時採用平均功率追蹤技術提升功率增進效率(PAE)，最後採用數位預失真(DPD)近一步改善鄰近通道功率比(APCR)及誤差向量振幅(EVM)。第二部分則將於第二年設計適用於n79頻段之高整合度、高線性度、低記憶效應發射機。擬採用疊接式功率放大器架構，目標為適用於class 3功率等級，在不依賴BAW濾波器時，將鄰近通道功率比降低，避免干擾到5.2 GHz 頻段之室內WiFi6頻段；計畫第三年將n79發射機結合平均功率追蹤技術，整合至印刷電路板，同時採用數位預失真，近一步改善鄰近通道功率比以及誤差向量振幅。