專案詳細資料
Description
Czochralski(Cz)方法已廣泛用於生長矽單晶。在Cz生長過程中熔湯高度的變化和為了增加晶錠體積而提高熔湯體積等,均會造成晶體熔液界面下溫度和熔液速度的擾波,進而促成所生長晶體內缺陷的形成。改進Cz長晶法這些缺點,為目前研究的重點。連續供料式的柴氏(CCz)長晶技術使用多個坩堝來容納矽熔湯,可克服Cz生長技術的缺點。從文獻中發現,CCz可連續地的供應矽顆粒融化,維持溶液液面的高度,所生長的矽晶棒具均勻的電阻率分佈和高的少數載流子壽命,但是關於此主題的研究文獻發表很少。為了很好地控制和優化矽單晶的生長過程,需要進一步解析CCz長晶過程中,在不同生長條件下的流場,熱場,雜質輸送和缺陷形式的演變。因此,在本研究中,將建立CCz長晶方法之數值模擬方法,研究各種操作參數對雙坩堝矽熔液的流動、熱傳、氧雜質及摻雜劑傳輸和缺陷形成的影響。此外,還將分析用於減少氧雜質含量和點缺陷的生長參數,並對爐膛幾何形狀及坩堝進行優化,同時探索獲得快速拉拔CCz矽錠的生長方法。
狀態 | 已完成 |
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有效的開始/結束日期 | 1/08/22 → 31/07/23 |
Keywords
- 連續式柴氏長晶法
- 數值模擬
- 對流
- 質傳
- 氧雜質
指紋
探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。