連續柴氏長晶法成長矽單晶過程雜質輸送之數值模擬研究(3/3)

專案詳細資料

Description

Czochralski(Cz)方法已廣泛用於生長矽單晶。在Cz生長過程中熔湯高度的變化和為了增加晶錠體積而提高熔湯體積等,均會造成晶體熔液界面下溫度和熔液速度的擾波,進而促成所生長晶體內缺陷的形成。改進Cz長晶法這些缺點,為目前研究的重點。連續供料式的柴氏(CCz)長晶技術使用多個坩堝來容納矽熔湯,可克服Cz生長技術的缺點。從文獻中發現,CCz可連續地的供應矽顆粒融化,維持溶液液面的高度,所生長的矽晶棒具均勻的電阻率分佈和高的少數載流子壽命,但是關於此主題的研究文獻發表很少。為了很好地控制和優化矽單晶的生長過程,需要進一步解析CCz長晶過程中,在不同生長條件下的流場,熱場,雜質輸送和缺陷形式的演變。因此,在本研究中,將建立CCz長晶方法之數值模擬方法,研究各種操作參數對雙坩堝矽熔液的流動、熱傳、氧雜質及摻雜劑傳輸和缺陷形成的影響。此外,還將分析用於減少氧雜質含量和點缺陷的生長參數,並對爐膛幾何形狀及坩堝進行優化,同時探索獲得快速拉拔CCz矽錠的生長方法。
狀態已完成
有效的開始/結束日期1/08/2231/07/23

聯合國永續發展目標

聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG),以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此專案有助於以下永續發展目標:

  • SDG 11 - 永續發展的城市與社群
  • SDG 17 - 為永續目標構建夥伴關係

Keywords

  • 連續式柴氏長晶法
  • 數值模擬
  • 對流
  • 質傳
  • 氧雜質

指紋

探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。