InAlGaN四元化合物半導體之超高頻電晶體開發

專案詳細資料

Description

針對新世代行動通訊頻寬的需求,將載波頻率提升至毫米波或以上頻段是未來的趨勢,通訊系統基地台勢必需要更高性能之功率放大器。氮化鎵材料能隙大,具有高崩潰電場,且也有高電子飽和速度的優勢,這意味著氮化鎵具有更高的輸出功率密度。相較於目前最普遍的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體,以氮化鋁銦鎵四元化合物作為位障層之異質結構可有效改善前者自發極化效應低,位障層厚度過厚等不利於超短閘極場效電晶體的問題,且具有更高2DEG濃度的優勢。本計畫擬使用有機金屬化學蒸氣沉積(MOCVD)於6吋矽基板以及4吋、6吋碳化矽基板上成長具四元化合物AlInGaN/GaN高電子遷移率電晶體磊晶片,用於超高頻電晶體之開發。
狀態已完成
有效的開始/結束日期1/01/2131/12/21

聯合國永續發展目標

聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG),以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此專案有助於以下永續發展目標:

  • SDG 9 - 產業、創新與基礎設施

Keywords

  • 氮化鎵
  • 氮化鋁銦鎵
  • 有機金屬化學蒸氣沉積
  • 高電子遷移率電晶體

指紋

探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。