量產晶圓圖的非隨機瑕疵識別

專案詳細資料

Description

在最近的國際半導體技術藍圖中,測試與自動測試設備報告指出艱難的挑戰之一是偵測系統性的瑕疵;良率強化報告同時也指出未來在特徵化,檢測和分析的最重要的關鍵挑戰是非可視性瑕疵和製程變動的識別。本計畫“量產晶圓圖的非隨機瑕疵識別”的目標是從晶圓圖分析中,判別是否有非隨機瑕疵的樣態,其中包括過度群聚與反群聚,並用一個特徵值來表示具有隨機性質的瑕疵樣態,進而能從量產晶圓圖中,利用單晶圓的分割、區塊大小的調整以及多晶圓的重疊解析出更多樣的瑕疵樣態。隨機瑕疵的樣態是什麼?依統計假設檢定的方法,吾人以完全空間隨機性瑕疵晶圓圖的瑕疵樣態為虛無假設,比較待檢驗晶圓圖,如果數據集之間的關係小於閾值概率(顯著性水平),則認為不太可能實現虛無假設--具有統計顯著性。所以要判別是否有非隨機瑕疵的樣態(對立假設),須要從探索完全空間隨機性瑕疵晶圓圖的瑕疵樣態著手開始。本計畫包括三個項目進行: (一)推導一個強健的非隨機檢定,吾人要公式化這個檢定的模型,直接表達成和晶圓良率、晶粒大小以及信心水準的式子。(二)尋求一個特徵值,用來表示瑕疵樣態的隨機性,晶圓良率雖是不錯的選擇,但它還不太能完全表達瑕疵分佈的隨機性,吾人要組合出一個新的特徵數,當晶圓圖瑕疵分佈是隨機的,這特徵數會近似平均瑕疵數--每個晶粒上瑕疵個數,特徵數偏小表示晶圓圖有過度群聚現象,偏大表示有反群聚現象。以及(三)資料探勘,從量產晶圓圖中,解析出更多樣的瑕疵樣態和等效瑕疵(非可視性瑕疵和製程變動)的綜合效應。
狀態已完成
有效的開始/結束日期1/08/1831/07/19

Keywords

  • 晶圓圖
  • 致命瑕疵
  • 製程變動
  • 良率分析
  • 蒙地卡羅模擬
  • 迴力棒圖
  • 瑕疵數

指紋

探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。