1200 V GaN HEMT磊晶技術與元件製作

因應未來汽車電子與再生能源的需求，本合作計畫擬開發1200V 以矽為基板之氮化鎵高電子遷移率電晶體磊晶技術與元件製作技術，以應用於高效率電源供應器與轉換器。研發內容包括以有機金屬化學蒸氣沉積法磊晶成長氮化鎵材料於6吋矽基板，製作元件並驗證其性能，以及探討以硼摻雜氮化鎵作為緩衝層之可行性。