LED固晶封裝製程對GaN薄膜應力及滯彈效應研究(1/3)

LED固晶封裝製程為一重要因素影響LED的散熱效率以及元件可靠度。本計畫將規劃研究不同AuSn固晶溫度及不同AuSn接合層厚度如何影響固晶後LED之GaN薄膜應力變化，並分析LED晶片內部應力所誘導的壓電場之分布情形。進一步討論GaN薄膜內部量子阱能帶受應力影響的傾斜程度，以及LED光電性質受到應力變化影響的程度，目前有系統的討論並歸納封裝製程對GaN薄膜應力影響的研究缺茹。近期我們發現當應力施加於GaN薄膜時，GaN薄膜產生的形變並非立即反應，而是隨著應力施加時間而逐漸達到平衡應變，此現象稱之為滯彈現象。我們也將研究GaN薄膜品質與GaN薄膜滯彈行為之關係，最終希望以滯彈行為的量測做為檢驗LED晶片中內部缺陷之方法，並建立滯彈行為參數與GaN薄膜品質的模型。