LED固晶封裝製程對GaN薄膜應力及滯彈效應研究(3/3)

專案詳細資料

Description

LED固晶封裝製程為一重要因素影響LED的散熱效率以及元件可靠度。本計畫將規劃研究不同AuSn固晶溫度及不同AuSn接合層厚度如何影響固晶後LED之GaN薄膜應力變化,並分析LED晶片內部應力所誘導的壓電場之分布情形。進一步討論GaN薄膜內部量子阱能帶受應力影響的傾斜程度,以及LED光電性質受到應力變化影響的程度,目前有系統的討論並歸納封裝製程對GaN薄膜應力影響的研究缺茹。近期我們發現當應力施加於GaN薄膜時,GaN薄膜產生的形變並非立即反應,而是隨著應力施加時間而逐漸達到平衡應變,此現象稱之為滯彈現象。我們也將研究GaN薄膜品質與GaN薄膜滯彈行為之關係,最終希望以滯彈行為的量測做為檢驗LED晶片中內部缺陷之方法,並建立滯彈行為參數與GaN薄膜品質的模型。
狀態已完成
有效的開始/結束日期1/08/1731/07/18

聯合國永續發展目標

聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG),以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此專案有助於以下永續發展目標:

  • SDG 11 - 永續發展的城市與社群
  • SDG 17 - 為永續目標構建夥伴關係

指紋

探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。