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仿生運算於AI晶片之開發與應用:建構通用型類神經網路技術平台與異質晶片整合於圖片辨識之應用(1/3)
Hsieh, E-Ray
(PI)
電機工程學系
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(3)
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2021
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2022
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2021
A FORMing-Free HfO
2
-/HfON-Based Resistive-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (RG-MOSFET) Nonvolatile Memory with 3-Bit-Per-Cell Storage Capability
Hsieh, E. R.
, Chen, K. T., Chen, P. Y., Wong, S. S. & Chung, S. S.,
6月 2021
,
於:
IEEE Transactions on Electron Devices.
68
,
6
,
p. 2699-2704
6 p.
, 9419727.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
期刊論文
›
同行評審
Gate Metal
100%
MOSFET
100%
Non-volatile Memory
100%
Resistive Gate
100%
HfO2
100%
11
引文 斯高帕斯(Scopus)