毫米波主被動目標偵測關鍵前端積體電路研製

本研究計畫將開發毫米波頻段目標偵測主被動前端收發機關鍵電路，實現的方法是使用40 nm和90 nm 金氧半場效應電晶體積體電路技術。操作頻率以W 頻段為主，發射射頻功率可超過12 dBm以上，接收轉換增益大於20 dB，雜訊指數小於8 dB。在主動偵測模態操作下，發射週期性脈衝毫米波載波，接收機接收回波信號用以估計目標物離和速度；在被動偵測模態操作下，接收機接收目標物背景輻射訊號。研究工作包含有前端收發機系統分析平台建立、毫米波積體電路設計和構裝技術開發。計畫將研製切換器、功率放大器、低雜訊放大器、混波器、功率偵測器、寬頻放大器、壓控振盪器、除頻器及頻率合成器等。並將相關電路技術整合於主被動前端收發機上，降低成本，改善電路性能。預期可得到成果為毫米波積體電路相關技術建立、參與研究計畫之人員培育、創新之積體電路開發研究、相關量測技術發展及高整合前端收發機晶片之相關技術研究。執行期間，工作項目將包含系統規劃、電路設計及佈局、晶片製作與評估。將研製前端收發機關鍵積體電路，設計及佈局將完成並送至代工廠製作。最後，並完成量測分析。