低表面粗糙度軟性金屬網格透明電極開發(2/2)

此兩年期計晝旨在開發可商用量產、低表面粗糙度、可撓式金屬網格透明電極之製程技術，此電極可用於取代目前以金屬氧化物(如ITO或FTO)為主之透明氧化物電極(TCOs)。方法主要以雷射 光子燒結技術，搭配掃描與平台移動以雷射直寫方式圖案化塗佈於基板上之金屬墨水以形成金屬網 格，配合合作企業已開發之特殊光/熱固化高分子合成與改質技術，製作出嵌入於具特殊奈米結構高 分子基板上之金屬網格透明電極。本計晝將使用銀與銅兩種金屬墨水，而所形成的金屬線徑需達肉 眼幾不可見之程度，因此，第一年預期之金屬網格線其線寬為5 ^m，第二年則須達到3 pm。同時， 薄膜電極之片電阻需低於20 n/n、透光度於可見光頻譜區域達85%以上。而本計晝所製作出的可撓 式透明電極薄膜，以可應用於可撓式有機發光二極體元件(如OLEDs)的應用為目標，因此，須達到 極低表面粗糙度之要求，避免因過大的粗糙度對上層之其它有機薄膜層造成穿刺與產生可能的尖端 穿隧效應，本研究所製作出之薄膜其中心線平均粗糙度(Ra)至少需小於15 nm。本計晝所開發的製程 技術全程可在大氣環境、室溫下進行，且易與卷對卷印刷製程技術結合，具有低成本量產之優勢， 完成後預計即可協助合作企業達成每年五千萬以上營業額之公司初期目標。