專案詳細資料
Description
針對第五代(5G)行動通訊頻寬的需求,將載波頻率提升至毫米波是未來的趨勢,因此,世 界各國的研發團隊已紛紛投入相關研究。5G系統基地台之功率放大器也勢必更大幅地改用具 效率高、體積小優點的氮化鎵功率電晶體。目前的氮化鎵功率電晶體是以氮化鋁鎵/氮化鎵異 質結構為主,然而受限於其氮化鋁鎵的成分與厚度,高頻特性有所限制。在此計晝中,我們擬 以低界面應力的氮化鋁銦/氮化鎵異質結構來取代傳統的氮化鋁鎵/氮化鎵結構,藉由此新結構 特有的高濃度二維電子氣來降低電晶體通道電阻,提高電流密度。此計晝將以矽基板上0.1微 米T型閘極電子遷移率電晶體為研發載具,進行磊晶技術,製程技術與封裝技術之開發,並 展示10 W級Ka頻段(30 GHz)之功率電晶體。
狀態 | 已完成 |
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有效的開始/結束日期 | 1/08/18 → 31/07/19 |
指紋
探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。