晶圓圖分析的良率和隨機性的理論探索

在最近的國際半導體技術藍圖中，測試與自動測試設備報告指出艱難的挑戰之一是偵測系統性的瑕疵；良率強化報告同時也指出未來在特徵化，檢測和分析的最重要的關鍵挑戰是非可視性瑕疵和製程變動的識別。本計畫“晶圓圖分析的良率和隨機性的理論探索” 的目標有四，是從基礎分析中，(1) 對空間樣態隨機性給一個特徵值，(2) 計算等效數量的缺陷以表示整合過程的完整性，(3) 探索多元性晶圓圖的缺陷良率公式，以及(4) 找出用於晶圓圖分析的同質性判別式。在學理上，尋求更深入的檢定特徵，從量產晶圓圖中，解析出更多樣的瑕疵樣態和等效瑕疵(非可視性瑕疵和製程變動)的綜合效應，以符合真實世界晶圓圖的樣態。