深冷電化學在矽基板上合成奈米晶之研究

本研究接續2017 年起所執行之低溫多孔矽電化學蝕刻研究， 初步實驗成果顯示自由載流子吸收對於電化學蝕刻有相當大的影響。2017 年本研究團隊發現紅外光雷射以自由載流體吸收效應來抑制蝕刻，因此更進一步選用紅外波長1310-1550 nm 雷射照射，且將蝕刻槽周圍環境降低溫度至零下74°C，探討以自由載流體吸收效應及低溫效應雙重抑制蝕刻方式形成次奈米晶（~ 0.5 nm）的可行性。初步實驗結果發現以長波長雷射照射能抑制蝕刻，自雷射照耀點處，往外有波浪狀細窄圖樣產生，預期有突破性的發現，在光致發光實測中能以UV 光激發，並無一般多孔矽光致發光現象，研判激發之光波長有可能不在可現光範圍內，這假設須作更進一步研究分析。本計畫延續 2017 年研究，不但分析其活化能，推導出蝕刻速率與光鈍化活化能之間的關係式，更佐以研究相關文獻，期待藉由抑制機制提出多孔矽均勻分佈態形成之模型，提出解釋電化學蝕刻如何使矽晶表面形成均分型態之深井狀結構（迄今尚未有公認被接受的解釋）。如此除了有學理上的研究之外，還有實際的工業應用：透過雷射功率、蝕刻速率的控制發展可取代在微機電技術部份元件製作中，顯影製程的塗佈光阻與移除光阻的步驟。這技術縮短製程時間與降低成本，實現 3D 驅動元件的製作，更是期待能對矽光子積體核心元件材料製作技術產生一些革命性的突破。