12寸晶圓線切割關鍵參數及品質優化之人工智能模組研發-12寸晶圓線切割關鍵參數及品質優化之人工智能模組研發(1/4)

因應全球半導體3-nm元件製程時代來臨，本計畫合作廠商(台灣矽晶圓龍頭大廠環球晶圓中德分公司)需將晶圓之翹曲度(Warpage)由目前8-10 um降低至4 um以下。為達此目標，本計畫將針對中德公司現有線切割技術及機台，以開發晶圓表面品質量測與感測技術為基礎，配合切割機台減振及切割線穩定技術，以及切削漿料流場物理模型之模擬，建構創新之晶圓品質預測、製程參數優化人工智能模型與即時線上監測及控制技術，以達合作廠商產線品質需求。本計畫由子計畫一負責開發晶圓表面品質量測技術，包括晶圓表面形貌、翹曲度、粗糙度及應力分布；子計畫二以物理模型(Physics-based model)為基礎，建立晶柱切割影響參數及漿料流場模擬技術；子計畫三負責開發顆粒減振技術及動態吸振器技術，以減少機台振動及提升切割線穩定度；子計畫四將在切割機上安裝各種感測模組，即時收集切割過程中的加工參數和感測數據，用以建立人工智能分析預測模型(Data-driven model)，及開發即時在線監控和控制技術。為實現本計畫所開發之各項技術，中德公司將提供兩台產線使用之晶柱線切割機供本團隊進行技術驗證，以符合客戶之品質要求。本計畫所開發之技術可達成翹曲度小於4 um之目標，且將直接應用於中德公司產線上之26台晶柱線切割機。所研發的核心技術將能夠擴散到目前第三代半導體SiC晶柱的切割，幫助台灣半導體產業持續保持高度競爭力。