結合晶片翹曲量測與接合界面探討接合品質之研究

先進封裝技術所面臨的最大挑戰來自於包含多種材料的異質集成晶片，複雜的三維堆疊很容易導致晶圓翹曲。在半導體製程中，二氧化矽（SiO2）被廣泛應用作為導電線之間的介電層。在先進封裝過程中，介電層的厚度達到微米級。由於微米級的SiO2層和各種材料的熱膨脹系數不匹配。因此，在隨後的SiO2鍵合過程中，靠近晶圓邊緣的區域容易出現鍵合失敗。為了防止鍵合失敗，我們旨在全面了解晶圓翹曲的驅動力以及它們對鍵合質量的影響。在這項研究中，將使用冷場發射掃描電子顯微鏡（CFE-SEM）、同步輻射X射線和透射電子顯微鏡（TEM）觀察鍵合界面和SiO2樣品鍵合後的斷裂表面。陰影激光干涉法和白光干涉法將用於晶圓翹曲測量。最終，我們期望能夠利用鍵合界面分析和晶圓翹曲測量的結果來評估鍵合質量。