產學合作計畫-低通道電阻氮化鋁銦場效電晶體之研製(1/2)

專案詳細資料

Description

高功率氮化鎵電晶體元件已被看好是未來高效率電力電子系統中之關鍵元件之一,國際上有相當多團 隊投入此研發主題。若目前主流的氮化鋁鎵/氮化鎵場效電晶體的電流密度能更進一步,將可降低成 本、提升效能,使氮化鎵元件更具競爭力。在此計畫中,我們擬以無界面應力的氮化鋁銦(AlInN)/氮 化鎵組合來取代氮化鋁鎵/氮化鎵結構,希望藉由此新結構特有的高濃度二維電子氣來降低電晶體通 道電阻。目前氮化鋁銦的磊晶技術仍未成熟,尤其是成長在矽基板上的材料仍存有許多缺陷,磊晶結 構對元件特性的影響亦所知有限。因此,本計畫將針對不同Al 含量、AlInN 厚度、AlN spacer 等面向 進行系統化的研究,達到磊晶片電阻值小於220 ohm/sq 的目標,並利用GaN cap 最佳化設計達成元 件導通電阻小於3 m -cm2,崩潰電壓大於300 V,動態電阻比小於2 的元件特性。此外,將針對 GaN-based HEMT 設計不同stress 偏壓量測,並詳細的量測分析缺陷空間分佈與能階,將建立陷阱能 階與空間分布模型,以確立磊晶結構與元件製程分別對動態特性之影響。
狀態已完成
有效的開始/結束日期1/06/1531/05/16

指紋

探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。