環境對二氧化矽薄膜性質與接合強度之研究

在半導體製程中，二氧化矽薄膜被廣泛應用於隔絕導線的介電層，在後段先進封裝製程中，厚度達到微米尺度，為了在二氧化矽的製程中，預防張應力的產生使薄膜發生crack，藉由水氣的影響使薄膜應力傾向壓應力。本計畫將利用本校微光電實驗室之電漿化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)鍍製二氧化矽薄膜，並靜置於恆溫恆濕爐，藉由水氣改變薄膜表面的應力，使用本校精密儀器中心之X射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)分析不同放置時間對二氧化矽表面鍵結的影響。二氧化矽薄膜製程完成後，分別與二氧化矽和Cu pillar對接，以冷鑲埋與研磨拋光製備橫截面之試片。後續透過超高解析冷場發射掃描式電子顯微鏡（Cold Field Emission-Scanning Electron Microscope, CFE-SEM）觀察試片接合前後橫截面的表現，以及推力測試驗證接合的強度變化。