極紫外光高反射鏡光學鍍膜技術

在半導體線徑要求越來越小，極紫外光波段的微影蝕刻應用越來越重要，已是具有全球戰略價值的一項關鍵科技，尤其是高反射鏡的製鍍及技術掌握，目前國際上投入較多資源的研究單位多為國家資源支持，而台灣針對光學鍍膜應用在X光波段領域或是EUV波段的反射鏡鍍膜雖然已有數位學者投入，但隨著製程難度的上升，以及商業化應用開始，台灣必須要盡快進入應用X光波段進行鍍膜製程及分析與測量領域，希望可以藉由本計畫極紫外光高反射鏡光學鍍膜技術的開發投入，讓台灣在面對未來極紫外光與X光技術需求與挑戰時，擁有這塊領域的技術能力，計畫完成後將與廠商合作開發設備與製程，將技術導入產業界，擺脫目前國內對國外EUV反射鏡元件廠商的依賴。本計畫將以雙離子束濺鍍系統(Dual Ion Beam Sputtering,DIBS)系統，除了離子束濺鍍(IBSD)之外並增加離子助鍍(IAD)來鍍製週期性Mo/Si薄膜，並且於最外層鍍製覆蓋層(Capping Layer)與介面中鍍製阻隔層(BarrierLayer)來提高反射率，探討功率大小、基板偏壓、基板溫度、工作壓力對於Mo/Si薄膜微結構、介面粗糙度、介面組成分布、薄膜應力與反射率之間的關係與影響，完成接近文獻之反射率69.5%以及環境穩定性。