在重摻雜N型半導體或高純度矽晶材料中轉換介面壁壘型態使電洞流為主控電流,以進行表面陽極氧化合成奈米結構(1/3)

專案詳細資料

狀態已完成
有效的開始/結束日期1/08/2131/07/22

指紋

探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。