半導體設備之抗電漿腐蝕薄膜開發

專案詳細資料

Description

隨著晶圓尺寸的增加、積體電路元件尺寸縮小、單位面積內的元件數目越來越多的情況下,製程良率一直是最重要的關鍵,也是晶圓廠獲利的來源,而影響製程良率最大的關鍵就是在製程中所產生的汙染物,主要的污染來源是由於半導體製程蝕刻 、佈植、沉積製程所產生的金屬不純物汙染、微粒汙染以及副產物汙染,因此如何降低晶圓製程中所產生的污染並提升製程良率是晶圓廠獲利的重要議題。在蝕刻製程中,腐蝕性的氣體通入反應腔體中形成電漿,利用電漿功率及外加偏壓的改變來控制蝕刻速率的快慢,但是在反應腔體中電漿氣體的腐蝕是沒有選擇性的,除了要腐蝕的晶圓外,整個離子蝕刻機台內的真空腔體的管壁、管路、以及零組件長時間暴露在腐蝕性電漿環境下,這些非晶圓的真空零組件容易被腐蝕,進而表面開始產生剝落,剝落的粉塵或微粒會汙染到晶圓甚至使晶圓與這些粉塵產生反應物造成嚴重的污染,造成製程良率下降。在線寬越來越小的需求下,之前使用大氣電漿噴塗的氧化釔(Y2O3)的抗電漿腐蝕表面處理技術已難滿足需求,主要是在大氣噴塗下的表面容易有孔隙造成蝕刻氣體容易產生反應使氧化釔(Y2O3)脫落造成粉塵進而影響良率,因此次世代抗電漿鍍膜技術成為半導體設備廠的必備技術。本計畫執行的主要目的,希望藉由離子助鍍電子槍蒸鍍氧化釔(Y2O3)、氟氧化釔(YOF)及釔鋁石榴石(YAG)參雜稀土元素材料 ,提升薄膜緻密程度,開發應用在抗氟電漿蝕刻能力並有高機械強度低應力,以改善目前大氣電漿噴塗技術上所遇到的困難與瓶頸。完成抗電漿腐蝕薄膜開發,確認附著性在百格測試下5B,硬度大於400HV,厚度大於5um,孔隙率小於3%,蝕刻速度小於150nm/Rfhr,無膜裂現象
狀態已完成
有效的開始/結束日期1/06/2231/08/23

聯合國永續發展目標

聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG),以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此專案有助於以下永續發展目標:

  • SDG 7 - 經濟實惠的清潔能源
  • SDG 17 - 為永續目標構建夥伴關係

Keywords

  • 半導體蝕刻
  • 抗電漿腐蝕薄膜
  • 氧化釔
  • 電子槍蒸鍍

指紋

探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。