Yue-Ming Hsin – 研究成果 — 國立中央大學

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2017
Device characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with p-GaN cap layer
Li, C. H., Jiang, Y. C., Tsai, H. C., Zhong, Y. N. & Hsin, Y. M., 2017, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 6, 11, p. S3125-S3128
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