辛 裕明

研究成果

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• 2017

  Device characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with p-GaN cap layer

  Li, C. H., Jiang, Y. C., Tsai, H. C., Zhong, Y. N. & Hsin, Y. M., 2017, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 6, 11, p. S3125-S3128

  研究成果: 雜誌貢獻 › 編者言

  開啟存取

  • GaN HEMT 100%
  • P-GaN 100%
  • Device Characteristics 100%
  • GaN Cap Layer 100%
  • Cap Layer 100%
  9 引文 斯高帕斯（Scopus）