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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
辛 裕明
教授
電機工程學系
光電科學研究中心
電子郵件
yhsin
ee.ncu.edu
tw
網站
https://in.ncu.edu.tw/~osc/2_1_1.htm
h-index
952
引文
17
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1993 …
2024
每年研究成果
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41
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8
會議論文
2
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1
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每年研究成果
8結果
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搜尋結果
2022
A PNP-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT with Improved Gate Characteristics
Tsai, M. H., Tsai, C. J., You, X. R. &
Hsin, Y. M.
,
2022
,
p. 251-254
.
4 p.
研究成果
:
會議貢獻類型
›
會議論文
›
同行評審
GaN HEMT
100%
Gate Structure
100%
Gate Characteristics
100%
Electric Field
100%
Transistor
100%
2006
The analysis of power and linearity characteristics of SiGe HBTs at low temperatures
Hsieh, M. W.,
Hsin, Y. M.
, Liang, K. H., Chan, Y. J., Tang, D. & Lee, C. Y.,
2006
,
於:
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.
p. 2047-2050
4 p.
, 4015365.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
會議論文
›
同行評審
Power Characteristics
100%
Low Temperature
100%
SiGe HBT
100%
Linearity Characteristics
100%
Output Power
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
2004
Improved InGaP/GaAs HBTs AC performance and linearity with collector design
Wang, C. M., Hsu, H. T., Shu, H. C., Liu, Y. A. &
Hsin, Y. M.
,
2004
,
p. 391-394
.
4 p.
研究成果
:
會議貢獻類型
›
會議論文
›
同行評審
InGaP
100%
GaAs HBT
100%
Collector Design
100%
AC Performance
100%
Gallium Arsenide
100%
Improved power performance of InGaP/GaAs HBT with composite collector
Hsin, Y. M.
, Chang, C. Y., Fan, C. C., Wang, C. M. & Hsu, H. T.,
2004
,
於:
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.
p. 202-204
3 p.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
會議論文
›
同行評審
Gallium Arsenide
100%
Power Performance
100%
InGaP
100%
Composite Collector
100%
Bipolar Transistor
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
2001
InGaP/GaAs DHBTs with composite collectors for power amplifiers
Hsin, Y. M.
, Lin, C. H., Fan, C. C., Su, S. T., Yang, M. H. T., Huang, J. C. H. & Lin, K. C.,
2001
,
p. 208-211
.
4 p.
研究成果
:
會議貢獻類型
›
會議論文
›
同行評審
Gallium Arsenide
100%
InGaP
100%
Double Heterojunction Bipolar Transistor
100%
Power Amplifier
100%
Composite Collector
100%
2
引文 斯高帕斯(Scopus)
1997
In-situ etch to improve chemical beam epitaxy regrown AlGaAs/GaAs interfaces for HBT applications
Hsin, Y. M.
, Li, N. Y., Tu, C. W. & Asbeck, P. M.,
1997
,
於:
Materials Research Society Symposium - Proceedings.
448
,
p. 87-92
6 p.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
會議論文
›
同行評審
Gallium Arsenide
100%
In Situ
100%
AlGaAs
100%
Chemical Beam Epitaxy
100%
Aluminium Gallium Arsenide
100%
1995
Selective-area epitaxy of carbon-doped (Al)GaAs by chemical beam epitaxy
Li, N. Y., Dong, H. K.,
Hsin, Y. M.
, Nakamura, T., Asbeck, P. M. & Tu, C. W.,
3月 1995
,
於:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures.
13
,
2
,
p. 664-666
3 p.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
會議論文
›
同行評審
Gallium Arsenide
100%
Heterojunction Bipolar Transistors
100%
Chemical Beam Epitaxy
100%
Carbon-doped
100%
Selective Area Epitaxy
100%
7
引文 斯高帕斯(Scopus)
1994
GaInP/GaAs HBTs with selectively regrown emitter and wide bandgap extrinsic base
Fu, S. L., Park, S.,
Hsin, Y. M.
, Ho, M. C., Chin, T. P., Yu, P. L., Tu, C. W., Asbeck, P. M. & Nakamura, T.,
1994
,
於:
Device Research Conference - Conference Digest, DRC.
p. 91-92
2 p.
, 1009428.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
會議論文
›
同行評審
4
引文 斯高帕斯(Scopus)