每年專案
個人檔案
研究領域
化合物半導體/固態工程及元件
與 UN SDG 相關的專業知識
聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG)，以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此人的作品有助於以下永續發展目標：
指紋
查看啟用 Yue-Ming Hsin 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。
- 1 類似的個人檔案
過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
專案
- 12 已完成
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高效率高頻高積體化轉換器研發-總計畫暨子計畫一：氮化鎵材料之磊晶開發和元件可靠度分析與模型建立(2/2)
Hsin, Y.-M. (PI)
1/05/21 → 31/07/22
研究計畫: Research
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高效率高頻高積體化轉換器研發-總計畫暨子計畫一：氮化鎵材料之磊晶開發和元件可靠度分析與模型建立(1/2)
Hsin, Y.-M. (PI)
1/05/20 → 31/07/21
研究計畫: Research
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An AlGaN-GaN HEMT with p-GaN Extended Gate for Improvements on Current Dispersion and Breakdown Characteristics
Sriramadasu, K. S. & Hsin, Y. M., 1月 2024, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 13, 1, 015004.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
A new gate design combined MIS and p-GaN gate structures for normally-off and high on-current operation
Sriramadasu, K. S. & Hsin, Y. M., 1 3月 2024, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 63, 3, 031005.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
開啟存取 -
A Pseudo-Junction Barrier Schottky Diode in p-GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Epitaxial Layers
Sriramadasu, K. S. & Hsin, Y. M., 7月 2024, 於: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 221, 13, 2300540.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
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Threshold Voltage Instability After Double Pulse Test Under Different OFF-State Drain Voltages and ON-State Drain Currents in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT
Chen, W. C., Lo, H. H. & Hsin, Y. M., 5月 2024, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 13, 5, 055003.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
開啟存取 -
Comparison of Drain Current Transient Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in the Linear and Saturation Regions after OFF-state Stress
Cho, C. W. & Hsin, Y. M., 2023, WiPDA Asia 2023 - IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (WiPDA Asia 2023 - IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia).研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審