Yue-Ming Hsin

每年研究成果

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化合物半導體/固態工程及元件

聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG)，以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此人的作品有助於以下永續發展目標：

指紋

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建立創新雙脈衝不穩定GaN功率元件測試分析和原因探究與新型功率元件開發(2/2)
Hsin, Y.
1/08/23 → 31/07/24
研究計畫: Research
建立創新雙脈衝不穩定GaN功率元件測試分析和原因探究與新型功率元件開發(1/2)
Hsin, Y.
1/08/22 → 31/07/23
研究計畫: Research
高壓氮化鎵元件研發及其在電動車的應用(1/2)
Hsin, Y.
1/05/22 → 30/04/23
研究計畫: Research
高效率高頻高積體化轉換器研發-總計畫暨子計畫一：氮化鎵材料之磊晶開發和元件可靠度分析與模型建立(2/2)
Hsin, Y.
1/05/21 → 31/07/22
研究計畫: Research
高效率高頻高積體化轉換器研發-大型儀器(總計畫)--高電壓高電流功率元件動態量測(氮化鎵材料之磊晶開發和元件可靠度分析與模型建立)
Hsin, Y.
1/05/20 → 31/10/21
研究計畫: Research

Comparison of Drain Current Transient Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in the Linear and Saturation Regions after OFF-state Stress
Cho, C. W. & Hsin, Y. M., 2023, WiPDA Asia 2023 - IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (WiPDA Asia 2023 - IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia).
研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審
Performance of an E-mode AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Integrated with a Current Limiting Diode
Hsin, Y. M., Zhong, Y. N., Lai, Y. C. & Tsai, K. H., 8月 2023, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 12, 8, 085003.
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
Recessed-gate AlGaN/GaN MIS-FETs with dual 2DEG channels
Hsu, H. C., Xie, H. G. & Hsin, Y. M., 2月 2023, 於: Semiconductor Science and Technology. 38, 2, 025004.
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
A PNP-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT with Improved Gate Characteristics
Tsai, M. H., Tsai, C. J., You, X. R. & Hsin, Y. M., 2022, p. 251-254. 4 p.
研究成果: 會議貢獻類型 › 會議論文 › 同行評審
Gate Breakdown Analysis of Schottky p-GaN gate HEMTs under High Positive Gate Bias
Qin, Z. W., Chen, W. C., Lo, H. H. & Hsin, Y. M., 8月 2022, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 11, 8, 085004.
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審