跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立中央大學 首頁
說明與常見問題
連結會在新分頁中打開
English
中文
在 國立中央大學 搜尋內容
首頁
人才檔案
研究單位
研究計畫
研究成果
資料集
榮譽/獲獎
學術活動
新聞/媒體
影響
查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
唐 英瓚
助理教授
資訊電機學院
電子郵件
yttang
ee.ncu.edu
tw
網站
https://scholars.ncu.edu.tw/zh/persons/ying-tsang-tang
h-index
353
引文
12
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
2009
2026
每年研究成果
概覽
指紋
網路
研究計畫
(2)
研究成果
(39)
資料集
(2)
類似的個人檔案
(1)
指紋
查看啟用 Ying-Tsang Tang 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Material Science
Ferroelectric Material
100%
Field Effect Transistor
73%
Transistor
37%
Quantum Dot
33%
Capacitance
31%
Zirconia
29%
Density
17%
Dielectric Material
16%
Nanowire
14%
Superlattice
13%
Annealing
12%
Capacitor
11%
Transition Metal Dichalcogenide
9%
Single Electron Devices
9%
Germanium
9%
Gallium
9%
Indium
9%
Zinc Oxide
9%
Aluminum Oxide
9%
Silicide
7%
Monolayers
6%
Oxygen Vacancy
6%
Defect Engineering
6%
Thermal Stability
5%
Oxide Compound
5%
Keyphrases
HfZrOx
19%
Fin Field-effect Transistor (FinFET)
14%
Ferroelectric Field-effect Transistor (FeFET)
14%
H2 Plasma Treatment
14%
Subthreshold Swing
12%
Phonons
11%
Quantum Dots
11%
Conductance
11%
Ioff
11%
Double Quantum Dot
11%
Technology Node
11%
Tunneling Rate
10%
Interfacial Layer
9%
HfO2
9%
Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET)
9%
Sub-60 mV/dec
9%
Zirconium Dioxide
9%
Gate Engineering
9%
Negative Capacitance
9%
Orthorhombic
9%
Storage Capacity
9%
Ferroelectric Memory
9%
Single-molecule Transistor
9%
Bias Effect
9%
Fluorescent Indicator
9%
NWFET
9%
Fringe Effect
9%
Array Structure
9%
Amorphous InGaZnO (a-IGZO)
9%
Memory Storage
9%
Ferroelectric Gate Stack
9%
Ge Nanowires
9%
Ferroelectric Polarization
9%
Memory Window
8%
Wake-up
7%
Gate Stack
7%
Writing Speed
7%
HfZrO2
7%
Phase Transition
7%
First-principles Calculations
7%
Bias Dependence
7%
Orthorhombic Phase
7%
Electron-phonon Interaction
7%
Germanium Quantum Dots
7%
Aluminum Oxide
7%
Bias Dependent
7%
Metal Gate
6%
Monoclinic
6%
High Strain
6%
Phase Transformation
6%
Engineering
Field Effect Transistor
28%
Nodes
19%
Quantum Dot
16%
Engineering
14%
Gate Stack
14%
Inverter
14%
Tunnel Construction
12%
Side Wall
10%
Interfacial Layer
9%
Room Temperature
9%
Phonon Interaction
9%
Effective Stress Method
9%
Strain Effect
9%
Nanowire
9%
Internet-Of-Things
9%
Plasma Treatment
9%
Storage Capacity
9%
Interlayer
9%
Transistor
8%
Bias Voltage
8%
Superlattice
7%
Defect Engineering
6%
