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在重摻雜N型半導體或高純度矽晶材料中轉換介面壁壘型態使電洞流為主控電流,以進行表面陽極氧化合成奈米結構(3/3)
Lee, T.-H. (PI)
1/08/23 → 31/07/24
研究計畫: Research
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在重摻雜N型半導體或高純度矽晶材料中轉換介面壁壘型態使電洞流為主控電流,以進行表面陽極氧化合成奈米結構(2/3)
Lee, T.-H. (PI)
1/08/22 → 31/07/23
研究計畫: Research
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在重摻雜N型半導體或高純度矽晶材料中轉換介面壁壘型態使電洞流為主控電流,以進行表面陽極氧化合成奈米結構(1/3)
Lee, T.-H. (PI)
1/08/21 → 31/07/22
研究計畫: Research
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