Sheng-Wei Lee

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2014
Mechanical properties of Ba_1-xK_xCe_0.6Zr_0.2Y_0.2O_3-δ oxides by nanoindentation
Yang, P. F., Chen, D. L., Jian, S. R., Lee, S. W. & Tseng, C. J., 2014, 於: Procedia Engineering. 79, p. 599-605 7 p.
研究成果: 雜誌貢獻 › 會議論文 › 同行評審

開啟存取
5 引文斯高帕斯（Scopus）
2005
Formation of high-quality and relaxed SiGe buffer layer with H-implantation and subsequent thermal annealing
Liao, K. F., Chen, P. S., Lee, S. W., Chen, L. J. & Liu, C. W., 8月 2005, 於: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 237, 1-2, p. 217-222 6 p.
研究成果: 雜誌貢獻 › 會議論文 › 同行評審
10 引文斯高帕斯（Scopus）
Morphology modifications of quantum dots on Si(0 0 1) surface by ion sputtering
Chen, H. C., Huang, C. M., Liao, K. F., Lee, S. W., Hsu, C. H. & Chen, L. J., 8月 2005, 於: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 237, 1-2, p. 465-469 5 p.
研究成果: 雜誌貢獻 › 會議論文 › 同行評審
7 引文斯高帕斯（Scopus）
2004
Formation of epitaxial β-FeSi₂ nanodots array on strained Si/Si_0.8Ge_0.2 (001) substrate
Chen, H. C., Liao, K. F., Lee, S. W., Cheng, S. L. & Chen, L. J., 2 8月 2004, 於: Thin Solid Films. 461, 1, p. 44-47 4 p.
研究成果: 雜誌貢獻 › 會議論文 › 同行評審
8 引文斯高帕斯（Scopus）
Solid phase reactions between Fe thin films and Si-Ge layers on Si
Yu, C. H., Chueh, Y. L., Lee, S. W., Cheng, S. L., Chen, L. J., Chou, L. J. & Cheng, L. W., 2 8月 2004, 於: Thin Solid Films. 461, 1, p. 81-85 5 p.
研究成果: 雜誌貢獻 › 會議論文 › 同行評審
3 引文斯高帕斯（Scopus）
The growth of high-quality SiGe films with an intermediate Si layer
Lee, S. W., Chen, P. S., Tsai, M. J., Chia, C. T., Liu, C. W. & Chen, L. J., 30 1月 2004, 於: Thin Solid Films. 447-448, p. 302-305 4 p.
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9 引文斯高帕斯（Scopus）

李 勝偉

研究成果

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Mechanical properties of Ba1-xKxCe0.6Zr0.2Y0.2O3-δ oxides by nanoindentation

Formation of high-quality and relaxed SiGe buffer layer with H-implantation and subsequent thermal annealing

Morphology modifications of quantum dots on Si(0 0 1) surface by ion sputtering

Formation of epitaxial β-FeSi2 nanodots array on strained Si/Si0.8Ge0.2 (001) substrate

Solid phase reactions between Fe thin films and Si-Ge layers on Si

The growth of high-quality SiGe films with an intermediate Si layer

李勝偉

Mechanical properties of Ba_1-xK_xCe_0.6Zr_0.2Y_0.2O_3-δ oxides by nanoindentation

Formation of epitaxial β-FeSi₂ nanodots array on strained Si/Si_0.8Ge_0.2 (001) substrate