Sheng-Wei Lee

2011

Formation mechanism of self-assembled gesige composite islands

Lee, S. W., Chang, H. T., Chang, J. K. & Cheng, S. L., 2011, 於: Journal of the Electrochemical Society. 158, 11, p. H1113-H1116

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1 引文斯高帕斯（Scopus）

2010

Composition redistribution of self-assembled Ge islands on Si (001) during annealing

Lee, S. W., Chang, H. T., Lee, C. H., Cheng, S. L. & Liu, C. W., 1 1月 2010, 於: Thin Solid Films. 518, 6 SUPPL. 1, p. S196-S199

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

C redistribution during Ni silicide formation on Si_1-y C _y epitaxial layers

Lee, S. W., Huang, S. S., Hsu, H. C., Nieh, C. W., Tsai, W. C., Lo, C. P., Lai, C. H., Tsai, P. Y., Wang, M. Y., Wu, C. M. & Lei, M. D., 2010, 於: Journal of the Electrochemical Society. 157, 3, p. H297-H300

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開啟存取

5 引文斯高帕斯（Scopus）

Enhanced growth of low-resistivity titanium silicides on epitaxial Si _0.7Ge_0.3 on (001)Si with a sacrificial amorphous Si interlayer

Wu, W. W., Wang, C. W., Chen, K. N., Cheng, S. L. & Lee, S. W., 1 10月 2010, 於: Thin Solid Films. 518, 24, p. 7279-7282 4 p.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Fabrication of nanometer-scale Si field emitters using self-assembled Ge nanomasks

Lee, S. W., Wu, B. L. & Chang, H. T., 2010, 於: Journal of the Electrochemical Society. 157, 2, p. H174-H177

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Hexagonal SiGe quantum dots and nanorings on Si(110)

Lee, C. H., Liu, C. W., Chang, H. T. & Lee, S. W., 2010, 於: Journal of Applied Physics. 107, 5, 056103.

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11 引文斯高帕斯（Scopus）

Kinetic investigation of the electrochemical synthesis of vertically-aligned periodic arrays of silicon nanorods on (001)Si substrate

Cheng, S. L., Chen, C. Y. & Lee, S. W., 1 1月 2010, 於: Thin Solid Films. 518, 6 SUPPL. 1, p. S190-S195

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16 引文斯高帕斯（Scopus）

Ni silicide formation on epitaxial Si_{1 - Y}C_y/(001) layers

Lee, S. W., Huang, S. H., Cheng, S. L., Chen, P. S. & Wu, W. W., 1 10月 2010, 於: Thin Solid Films. 518, 24, p. 7394-7397 4 p.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Strain relaxation during formation of Ge nanolens stacks

Chang, H. T., Chen, W. Y., Hsu, T. M., Shushpannikov, P. S., Goldstein, R. V. & Lee, S. W., 2010, 於: Electrochemical and Solid-State Letters. 13, 5, p. K43-K45

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

2009

Boron-induced strain relaxation in hydrogen-implanted SiGe/Si heterostructures

Lee, S. W., Chueh, C. A. & Chang, H. T., 2009, 於: Journal of the Electrochemical Society. 156, 12, p. H921-H924

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Enhancement of NiSi-based nanocrystal formation by incorporating Ge elements for nonvolatile memory devices

Hu, C. W., Chang, T. C., Tu, C. H., Chiang, C. N., Lin, C. C., Lee, S. W., Chang, C. Y., Sze, S. M. & Tseng, T. Y., 2009, 於: Journal of the Electrochemical Society. 156, 9, p. H751-H755

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

Evolution of composition distribution of Si-capped Ge islands on Si(001)

Lee, S. W., Lee, C. H., Chang, H. T., Cheng, S. L. & Liu, C. W., 1 7月 2009, 於: Thin Solid Films. 517, 17, p. 5029-5032 4 p.

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10 引文斯高帕斯（Scopus）

Formation of Mg₂Ni alloy layers and kinetic studies in the binary Mg-Ni system

Cheng, S. L., Chen, Y. Y., Lee, S. W. & Hsu, H. F., 1 7月 2009, 於: Thin Solid Films. 517, 17, p. 4745-4748 4 p.

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8 引文斯高帕斯（Scopus）

SiGe nanorings by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

Lee, C. H., Shen, Y. Y., Liu, C. W., Lee, S. W., Lin, B. H. & Hsu, C. H., 2009, 於: Applied Physics Letters. 94, 14, 141909.

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12 引文斯高帕斯（Scopus）

2008

Enhanced growth of low-resistivity cobalt silicide by using a Co/Au/Co trilayer film on Si _0.8 Ge _0.2 virtual substrate

Cheng, S. L., Chen, H. Y. & Lee, S. W., 30 7月 2008, 於: Applied Surface Science. 254, 19, p. 6211-6214 4 p.

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Formation of relaxed SiGe on the buffer consists of modified SiGe stacked layers by Si pre-intermixing

Chen, P. S., Lee, S. W., Lee, M. H. & Liu, C. W., 30 7月 2008, 於: Applied Surface Science. 254, 19, p. 6076-6080 5 p.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

Modified growth of Ge quantum dots using C ₂ H ₄ mediation by ultra-high vacuum chemical vapor deposition

Lee, S. W., Chen, P. S., Cheng, S. L., Lee, M. H., Chang, H. T., Lee, C. H. & Liu, C. W., 30 7月 2008, 於: Applied Surface Science. 254, 19, p. 6261-6264 4 p.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

Strained-Si with carbon incorporation for MOSFET source/drain engineering

Lee, M. H., Chang, S. T., Lee, S. W., Chen, P. S., Shen, K. W. & Wang, W. C., 30 7月 2008, 於: Applied Surface Science. 254, 19, p. 6147-6150 4 p.

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2007

Self-aligned nanolenses with multilayered Ge/SiO₂ core/shell structures on Si (001)

Chen, H. C., Lee, S. W. & Chen, L. J., 20 1月 2007, 於: Advanced Materials. 19, 2, p. 222-226 5 p.

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1 引文斯高帕斯（Scopus）

2006

Field-emission properties of self-assembled Si-capped Ge quantum dots

Lee, S. W., Chueh, Y. L., Chen, H. C., Chen, L. J., Chen, P. S., Chou, L. J. & Liu, C. W., 5 6月 2006, 於: Thin Solid Films. 508, 1-2, p. 218-221 4 p.

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Growth of high-quality relaxed SiGe films with an intermediate Si_1-yC_y layer for strained Si n-MOSFETs

Chen, P. S., Lee, S. W. & Liao, K. F., 15 6月 2006, 於: Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology. 130, 1-3, p. 194-199 6 p.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

Growth of high-quality relaxed SiGe films with an intermediate Si layer for strained Si n-MOSFETs

Chen, P. S., Lee, S. W., Lee, M. H. & Liu, C. W., 1 4月 2006, 於: Semiconductor Science and Technology. 21, 4, p. 479-485 7 p.

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Growth of high-quality SiGe films with a buffer layer containing Ge quantum dots

Lee, S. W., Chen, P. S., Chien, T. Y., Chen, L. J., Chia, C. T. & Liu, C. W., 5 6月 2006, 於: Thin Solid Films. 508, 1-2, p. 120-123 4 p.

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7 引文斯高帕斯（Scopus）

Pyramid-shaped Si/Ge superlattice quantum dots with enhanced photoluminescence properties

Chen, H. C., Wang, C. W., Lee, S. W. & Chen, L. J., 3 2月 2006, 於: Advanced Materials. 18, 3, p. 367-370 4 p.

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7 引文斯高帕斯（Scopus）

2005

Formation of SiCH ₆-mediated Ge quantum dots with strong field emission properties by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

Lee, S. W., Chueh, Y. L., Chen, L. J., Chou, L. J., Chen, P. S., Tsai, M. J. & Liu, C. W., 1 10月 2005, 於: Journal of Applied Physics. 98, 7, 073506.

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1 引文斯高帕斯（Scopus）

Growth of strained Si on high-quality relaxed Si1-x Gex with an intermediate Si1-y Cy layer

Lee, S. W., Chueh, Y. L., Chen, L. J., Chou, L. J., Chen, P. S., Lee, M. H., Tsai, M. J. & Liu, C. W., 7月 2005, 於: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 23, 4, p. 1141-1145 5 p.

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Synthesis of blue-light-emitting Si_1-xGe_x oxide nanowires

He, J. H., Wu, W. W., Lee, S. W., Chen, L. J., Chueh, Y. L. & Chou, L. J., 27 6月 2005, 於: Applied Physics Letters. 86, 26, p. 1-3 3 p., 263109.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Ultra-high-vacuum chemical vapor deposition of hetero-epitaxial Si _1-x-yGe_xC_y thin films on Si(0 0 1) with ethylene (C₂H₄) precursor as carbon source

Chen, P. S., Lee, S. W., Liu, Y. H., Lee, M. H., Tsai, M. J. & Liu, C. W., 2月 2005, 於: Materials Science in Semiconductor Processing. 8, 1-3 SPEC. ISS., p. 15-19 5 p.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

2004

Boron mediation on the growth of Ge quantum dots on Si (1 0 0) by ultra high vacuum chemical vapor deposition system

Chen, P. S., Pei, Z., Peng, Y. H., Lee, S. W. & Tsai, M. J., 15 5月 2004, 於: Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology. 108, 3, p. 213-218 6 p.

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17 引文斯高帕斯（Scopus）

Improved growth of Ge quantum dots in Ge/Si stacked layers by pre-intermixing treatments

Lee, S. W., Chen, L. J., Chen, P. S., Tsai, M. J., Liu, C. W., Chen, W. Y. & Hsu, T. M., 15 3月 2004, 於: Applied Surface Science. 224, 1-4, p. 152-155 4 p.

研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審

Improvement of photoluminescence efficiency in stacked Ge/Si/Ge quantum dots with a thin Si spacer

Chen, P. S., Lee, S. W., Peng, Y. H., Liu, C. W. & Tsai, M. J., 12月 2004, 於: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 241, 15, p. 3650-3655 6 p.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Room temperature 1.3 and 1.5 μm electroluminescence from Si/Ge quantum dots (QDs)/Si multi-layers

Pei, Z., Chen, P. S., Lee, S. W., Lai, L. S., Lu, S. C., Tsai, M. J., Chang, W. H., Chen, W. Y., Chou, A. T. & Hsu, T. M., 15 3月 2004, 於: Applied Surface Science. 224, 1-4, p. 165-169 5 p.

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5 引文斯高帕斯（Scopus）

Self-forming silicide/SiGe-based tube structure on Si(001) substrates

Chen, H. C., Liao, K. F., Lee, S. W. & Chen, L. J., 22 12月 2004, 於: Thin Solid Films. 469-470, SPEC. ISS., p. 483-486 4 p.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

The growth of SiGe quantum rings in Au thin films on epitaxial SiGe on silicon

He, J. H., Chueh, Y. L., Wu, W. W., Lee, S. W., Chen, L. J. & Chou, L. J., 22 12月 2004, 於: Thin Solid Films. 469-470, SPEC. ISS., p. 478-482 5 p.

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1 引文斯高帕斯（Scopus）

2003

Auto-correlation function analysis of crystallization in amorphous SiGe thin films

Chiang, T. F., Wu, W. W., Cheng, S. L., Lin, H. H., Lee, S. W. & Chen, L. J., 15 5月 2003, 於: Applied Surface Science. 212-213, SPEC., p. 339-343 5 p.

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1 引文斯高帕斯（Scopus）

Enhanced growth of low-resistivity NiSi on epitaxial Si_0.7Ge_0.3 on (001)Si with a sacrificial amorphous Si interlayer

Wu, W. W., Cheng, S. L., Lee, S. W. & Chen, L. J., 9月 2003, 於: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 21, 5, p. 2147-2150 4 p.

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9 引文斯高帕斯（Scopus）

Room-temperature electroluminescence at 1.3 and 1.5 μm from Ge/Si self-assembled quantum dots

Chang, W. H., Chou, A. T., Chen, W. Y., Chang, H. S., Hsu, T. M., Pei, Z., Chen, P. S., Lee, S. W., Lai, L. S., Lu, S. C. & Tsai, M. J., 6 10月 2003, 於: Applied Physics Letters. 83, 14, p. 2958-2960 3 p.

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11 引文斯高帕斯（Scopus）

Self-assembled nanorings in Si-capped Ge quantum dots on (001)Si

Lee, S. W., Chen, L. J., Chen, P. S., Tsai, M. J., Liu, C. W., Chien, T. Y. & Chia, C. T., 22 12月 2003, 於: Applied Physics Letters. 83, 25, p. 5283-5285 3 p.

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55 引文斯高帕斯（Scopus）

Self-assembled NiSi quantum-dot arrays on epitaxial Si_0.7Ge _0.3 on (001)Si

Wu, W. W., He, J. H., Cheng, S. L., Lee, S. W. & Chen, L. J., 1 9月 2003, 於: Applied Physics Letters. 83, 9, p. 1836-1838 3 p.

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1 引文斯高帕斯（Scopus）

2002

Effects of low-temperature Si buffer layer thickness on the growth of SiGe by molecular beam epitaxy

Lee, S. W., Chen, H. C., Chen, L. J., Peng, Y. H., Kuan, C. H. & Cheng, H. H., 1 12月 2002, 於: Journal of Applied Physics. 92, 11, p. 6880-6885 6 p.

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45 引文斯高帕斯（Scopus）

Enhanced growth of CoSi₂ on epitaxial Si_0.7Ge _0.3 with a sacrificial amorphous Si interlayer

Wu, W. W., Chiang, T. F., Cheng, S. L., Lee, S. W., Chen, L. J., Peng, Y. H. & Cheng, H. H., 29 7月 2002, 於: Applied Physics Letters. 81, 5, p. 820-822 3 p.

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5 引文斯高帕斯（Scopus）

Oxide roughness effect on tunneling current of MOS diodes

Hsu, B. C., Chen, K. F., Lai, C. C., Lee, S. W. & Liu, C. W., 12月 2002, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 49, 12, p. 2204-2208 5 p.

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10 引文斯高帕斯（Scopus）

李 勝偉

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