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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
綦 振瀛
教授, 副校長,
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8476
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45
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1983 …
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2003
Response to "Comment on 'AIN/GaN double-barrier resonant tunneling diodes grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy'" [Appl. Phys. Lett. 83, 3626 (2003)]
Kikuchi, A., Bannai, R., Kishino, K., Lee, C. M. &
Chyi, J. I.
,
27 10月 2003
,
於:
Applied Physics Letters.
83
,
17
,
p. 3628
1 p.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
回顧評介論文
›
同行評審
開啟存取
Current-voltage Characteristics
100%
Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
100%
RF Plasma
100%
Double Barrier
100%
Resonant Tunneling Diode
100%
19
引文 斯高帕斯(Scopus)
1996
Material properties of compositional graded In
x
Ga
1-x
As and In
x
Al
1-x
As epilayers grown on GaAs substrates
Chyi, J. I.
, Shieh, J. L., Pan, J. W. & Lin, R. M.,
1 6月 1996
,
於:
Journal of Applied Physics.
79
,
11
,
p. 8367-8370
4 p.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
回顧評介論文
›
同行評審
GaAs Substrate
100%
Epilayer
100%
Material Properties
100%
InxGa1-xAs
100%
Gallium Arsenide
100%
66
引文 斯高帕斯(Scopus)