綦 振瀛

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• 2014

  Erratum: The behavior of off-state stress-induced electrons trapped at the buffer layer in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors (Applied Physics Letters(2014) 104 (033503))

  Liao, W. C., Chen, Y. L., Chen, C. H., Chyi, J. I. & Hsin, Y. M., 2 10月 2014, 於: Applied Physics Letters. 104, 6, 069902.

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  2 引文 斯高帕斯（Scopus）