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研究領域
半導體材料與元件/光電元件/高速元件
與 UN SDG 相關的專業知識
聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG)，以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此人的作品有助於以下永續發展目標：
指紋
查看啟用 Jen-Inn Chyi 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。
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過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
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AlInGaN/GaN HEMTs with Different GaN Cap Layer on Low Resistivity Silicon Substrate
Chen, H. Y., Tu, P. T., Yeh, P. C., Tzeng, P. J., Sheu, S. S., Wu, C. I., Sanyal, I. & Chyi, J. I., 2022, 2022 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2022. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (2022 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2022).研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審
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Epitaxial Growth of GaN/AlN on h-BN/Si(111) by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition: An Interface Analysis
Ravi, L., Rather, M. A., Lin, K. L., Wu, C. T., Yu, T. Y., Lai, K-Y. & Chyi, J. I., 2022, (已被接受) 於: ACS Applied Electronic Materials.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
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Performance comparison of lattice-matched alinn/gan/algan/gan double-channel metal–oxide–semiconductor high-electron mobility transistors with planar channel and multiple-mesa-fin-channel array
Lee, H. Y., Ju, Y. H., Chyi, J. I. & Lee, C. T., 1 1月 2022, 於: Materials. 15, 1, 42.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
開啟存取1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
AlInGaN/GaN HEMTs with High Johnson's Figure-of-Merit on Low Resistivity Silicon Substrate
Sanyal, I., Lin, E. S., Wan, Y. C., Chen, K. M., Tu, P. T., Yeh, P. C. & Chyi, J. I., 2021, 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 9, p. 130-136 7 p., 9286477.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
開啟存取6 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Lattice-matched AlInN/GaN/AlGaN/GaN heterostructured-double-channel metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with multiple-mesa-fin-channel array
Lee, H. Y., Liu, D. S., Chyi, J. I., Chang, E. Y. & Lee, C. T., 1 10月 2021, 於: Materials. 14, 19, 5474.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
開啟存取2 引文 斯高帕斯（Scopus）