每年專案
個人檔案
研究領域
類神經網路計算元件設計/操作/應用,高集成電阻式記憶體設計/操作/應用
與 UN SDG 相關的專業知識
聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG)，以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此人的作品有助於以下永續發展目標：
指紋
查看啟用 E-Ray Hsieh 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。
- 1 類似的個人檔案
過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
-
探索記憶體內運算的未知邊界:同時具備儲存、計算、搜尋功能的四位單胞雙阻變閘三態內容定址非揮發記憶體晶片之設計與實作(3/4)
Hsieh, E.-R. (PI)
1/08/24 → 31/07/25
研究計畫: Research
-
-
探索記憶體內運算的未知邊界:同時具備儲存、計算、搜尋功能的四位單胞雙阻變閘三態內容定址非揮發記憶體晶片之設計與實作(1/4)
Hsieh, E.-R. (PI)
1/08/22 → 31/07/23
研究計畫: Research
-
-
-
A New 1C1T1R nv-TCAM with Simultaneously Hybrid Ferroelectricity and Memristor Layers Feasible for Ultra-highly-dense and High-performance In-memory-searching
Hsueh, Y. L., Lin, R. Q., Huang, Y. X., Lin, Y. H., Chang, K. H., Shen, T. H., Hsieh, E. R. & Wong, S. S., 2024, IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024).研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審
-
A New Design of Ultra-Scaled and High-Density 1-nm Node 6T-SRAM Cell by Lateral-and-Complementary FETs (LC-FETs) with only 21 F2
Cheng, K. W., Liu, Y. J. & Ray Hsieh, E., 2024, 2024 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications, VLSI TSA 2024 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (2024 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications, VLSI TSA 2024 - Proceedings).研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審
-
A Novel RRAM-based Ternary Strong-PUF with High Security Intensity Feasible for Low-earth Orbit Satellites in the 6G Era
Huang, P. H., Lee, K. Y., Lin, S. H., Hsieh, E. R., Lin, Y. C., Lin, C. J., Tseng, J. C., Wang, C. F., Chu, W. T., Chih, Y. D. & Chang, J., 2024, 2024 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2024. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 23-24 2 p. (2024 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2024).研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審
-
Design of the 2-nm Nanosheet NAND-type TCAM with High Speed and Compat Cell-size: 45% Layout-reduction of 3-nm TCAM
Yu, L. A., Chou, C. Y., Lin, C. C., Tsai, T. Y. & Hsieh, E. R., 2024, 2024 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2024. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 119-120 2 p. (2024 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2024).研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審
-
1-Transistor 1-Source/Channel/Drain-Diode (1T1D) One-Time-Programmable Memory in 14-nm FinFET
Hsieh, E. R., Luo, Y. M., Huang, Y. X., Su, H. S., Lin, R. Q., Lin, Y. H., Chang, K. H., Shen, T. H. & Liu, C. H., 1 3月 2023, 於: IEEE Electron Device Letters. 44, 3, p. 404-407 4 p.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
3 引文 斯高帕斯（Scopus）