E-Ray Hsieh

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每年研究成果

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研究領域

類神經網路計算元件設計/操作/應用,高集成電阻式記憶體設計/操作/應用

與 UN SDG 相關的專業知識

聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG)，以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此人的作品有助於以下永續發展目標：

指紋

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1 類似的個人檔案

5 已完成

探索記憶體內運算的未知邊界:同時具備儲存、計算、搜尋功能的四位單胞雙阻變閘三態內容定址非揮發記憶體晶片之設計與實作(1/4)
Hsieh, E.
1/08/22 → 31/07/23
研究計畫: Research
仿生運算於AI晶片之開發與應用：建構通用型類神經網路技術平台與異質晶片整合於圖片辨識之應用(3/3)
Hsieh, E.
1/02/22 → 31/01/23
研究計畫: Research
新進/年輕教師學術研究補助-謝易叡
Hsieh, E.
1/01/22 → 31/12/22
研究計畫: Research
仿生運算於AI晶片之開發與應用：建構通用型類神經網路技術平台與異質晶片整合於圖片辨識之應用(2/3)
Hsieh, E.
1/02/21 → 31/01/22
研究計畫: Research
仿生運算於AI晶片之開發與應用：建構通用型類神經網路技術平台與異質晶片整合於圖片辨識之應用(1/3)
Hsieh, E.
1/02/20 → 31/01/21
研究計畫: Research

62 會議論文篇章
19 期刊論文
1 篇章

1-Transistor 1-Source/Channel/Drain-Diode (1T1D) One-Time-Programmable Memory in 14-nm FinFET
Hsieh, E. R., Luo, Y. M., Huang, Y. X., Su, H. S., Lin, R. Q., Lin, Y. H., Chang, K. H., Shen, T. H. & Liu, C. H., 1 3月 2023, 於: IEEE Electron Device Letters. 44, 3, p. 404-407 4 p.
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
1 引文斯高帕斯（Scopus）
3-bits-per-cell 2T32C_FEnvTCAM by Angstrom-laminated Ferroelectric Layers with 10¹¹Cycles of Endurance and 4.92V of Ultra-wide Memory-windows for In-memory-searching
Hsieh, E. R., Tang, Y. T., Liu, C. R., Wang, S. M., Hsueh, Y. L., Lin, R. Q., Huang, Y. X. & Chen, Y. T., 2023, 2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits, VLSI Technology and Circuits 2023. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology; 卷 2023-June).
研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審
A 40-nm Loadless 4T-SRAM TRNG MACRO with Read-just-after-write (RAW) Scheme Featuring 5.3Gb/s and 3.64TOP/W
Wu, Y. S., Chang, K. H., Huang, P. S., Miu, M. L., Huang, S. Y., Lu, S. M., Su, H. S. & Hsieh, E. R., 2023, 2023 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2023. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 111-112 2 p. (2023 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2023).
研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審
A Nonvolatile Ternary-Content-Addressable- Memory Comprising Resistive-Gate Field-Effect Transistors
Hsieh, E. R., Hsueh, Y. L., Lin, R. Q., Huang, Y. X., Hou, P. J., Chang, K. H., Shen, T. H., Li, Y. H. & Lyu, R. Y., 1 8月 2023, 於: IEEE Electron Device Letters. 44, 8, p. 1292-1295 4 p.
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
1 引文斯高帕斯（Scopus）
A Built-in Spice Time-domain Variation Model of the BTI-induced Random Trap Fluctuation (RTF) in 14 nm FinFETs
Lin, L. C., Wang, Z. Y., Lee, M. Y., Chang, J. K., Hsieh, E. R., Guo, J. C. & Chung, S. S., 2022, 2022 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2022. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (2022 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2022).
研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審

謝易叡

個人檔案

研究領域

與 UN SDG 相關的專業知識

指紋

過去五年中的合作和熱門研究領域

深入探索詳細資料

探索記憶體內運算的未知邊界:同時具備儲存、計算、搜尋功能的四位單胞雙阻變閘三態內容定址非揮發記憶體晶片之設計與實作(1/4)

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新進/年輕教師學術研究補助-謝易叡

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1-Transistor 1-Source/Channel/Drain-Diode (1T1D) One-Time-Programmable Memory in 14-nm FinFET

3-bits-per-cell 2T32C_FEnvTCAM by Angstrom-laminated Ferroelectric Layers with 10¹¹Cycles of Endurance and 4.92V of Ultra-wide Memory-windows for In-memory-searching

A 40-nm Loadless 4T-SRAM TRNG MACRO with Read-just-after-write (RAW) Scheme Featuring 5.3Gb/s and 3.64TOP/W

A Nonvolatile Ternary-Content-Addressable- Memory Comprising Resistive-Gate Field-Effect Transistors

A Built-in Spice Time-domain Variation Model of the BTI-induced Random Trap Fluctuation (RTF) in 14 nm FinFETs

謝 易叡

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與 UN SDG 相關的專業知識

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過去五年中的合作和熱門研究領域

專案

研究成果

謝易叡