GaN/AlGaN HEMTs grown by hydride vapor phase epitaxy on AlN/SiC substrates

J. R. LaRoche, B. Luo, F. Ren, K. H. Baik, D. Stodilka, B. Gila, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. Usikov, D. Tsvetkov, V. Soukhoveev, G. Gainer, A. Rechnikov, V. Dimitriev, G. T. Chen, C. C. Pan, J. I. Chyi