Developement of Spin-On Dopant Process for N-Type Pert Solar Cells

本計晝將開發旋轉塗佈摻雜(spin-on dopant, SOD)擴散製程，並應用於製作N型PERT(鈍化射極 及背面全擴散)雙面太陽能電池。相較於傳統的氣體擴散源(BBr3或POCb)製程，SOD製程技術具有 成本低、製程速度快等優點；此外也不具有毒性可提高生產線運作的安全性。最終目標希冀能協助 合作廠商(元晶太陽能科技股份有限公司)建立可整合於現今產線上之SOD擴散技術，以取代氣體擴 散方式成為N型矽晶太陽能電池中射極(emitter)與背表面電場(back surface field, BSF)層的標準製程。本計晝初期將以開發SOD擴散製程為重點，首先進行溶液成分調配及擴散製程參數最佳化，將 輔以軟體模擬計算peak concentration及diffusion depth對電池性能之影響，目標將製作出具低電阻率 及有效降低少數載子復合之emitter與BSF層。此外，我們也將改善旋轉塗佈均勻性，以便使SOD 製程可用於大面積矽晶片上。在應用於製作N型PERT太陽能電池方面，將由本研究室在學校先進 行小面積電池製作及性質分析後，最後將此製程技術轉移至元晶公司於廠内進行六吋太陽能電池之試作。